29 May '13, 10pm

【ECTC】QualcommとAmkor、最大4枚のWide I/Oメモリを28nm世代ロジックと3次元積層

【ECTC】QualcommとAmkor、最大4枚のWide I/Oメモリを28nm世代ロジックと3次元積層

 Wide I/Oメモリとロジック・チップのTSV(Si貫通ビア)ベース3次元構造パッケージの実用化に向けた試作評価が米Qualcomm社で着々と進んでいる。Qualcomm社のDong Wook Kim氏は、最大4枚までのWide I/Oメモリと28nm世代のロジック・デバイスを積層してTSVで接続した3D-TSV構造の開発成果について、半導体パッケージ技術の国際学会「2013 Electronic Components and Technology Conference(ECTC)」(2013年5月28〜31日、米国ラスベガス)において世界で初めて報告した。論文タイトルは「Development of 3D Through Silicon Stack (TSS) Assembly for Wide IO Memory to Logic Devices Integration」。

Full article: http://techon.nikkeibp.co.jp/article/EVENT/20130530/284551/

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XilinxがTSMCの16nm世代FinFETプロセスで次期FPGAを製造、2014年に量産開始