31 Dec '11, 7am

【専門記者が振り返る】半導体メモリ、この1年――迫る微細化限界を前に新メモリの開発が加速 - 半導体 - Tech-On!

【専門記者が振り返る】半導体メモリ、この1年――迫る微細化限界を前に新メモリの開発が加速 - 半導体 - Tech-On!

東芝が2011年7月に竣工した新製造棟「Fab5」。ポストNANDフラッシュ・メモリの旗艦工場とする計画だ。 [クリックすると拡大した画像が開きます]  2011年の半導体メモリ業界では、既存メモリの微細化限界後を見据えた新メモリ技術が話題をさらった。ポストNANDフラッシュ・メモリ世代に向けた3次元NANDフラッシュ・メモリや、DRAMの代替を狙うスピン注入磁化反転型MRAM(STT-MRAM)などである。2013〜2014年の実用化を見据えたこれらの技術の開発が、2012年には佳境を迎えそうだ。  2011年、NANDフラッシュ・メモリでは微細化競争が1Xnm世代に突入した。先陣を切ったのは東芝である。同年7月に19nm世代品の量産を開始した(Tech-On!関連記事1 )。これとほぼ同じ技術世代に当たる2Xnm世代品の量産を同年9月に韓国Samsung Electronics社が開始し(同2 )、同年12月には米Micron Technology社と米Intel社の連合が20nm世代品の量産を始めた(同3 )。韓国Hynix Semiconductor社も、20nm世代品の量産を立ち上げ中である。  NANDフラッシュ・メモリの微細化はどこまで続くのか。この問いに対して踏み込んだ発言をしたのが、東芝 代表執行役社長の佐々木則夫氏である。2011年5月24日に開催した経営方針説明会において、「19nmの次の1Ynm、さらにその先の1Znmぐらいまではほぼメドが付いている。ただし、その後は定かではない」と語った(Tech-On!関連記事4 )。同氏の見方は、メモリ・メーカー各社にほぼ共通するとみられる。すなわち、2013年ごろに各社が量産を始める1Znm世代で、NANDフラッシュ・メモリの微細化は終焉を迎えるとの見方が強まっている。  この技術限界を乗り越えるために、各社がここに来て開発を加速させているのが、メモリ・セルを3次元方向に多段積層して大容量化と低コスト化を実現する、3次元NANDフラッシュ・メモリである。東芝が開発を進める「B...

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東芝が日立NANDを発表となってないのは偉い!(のか?w)。てか普通、非多値NANDって言うか?

techon.nikkeibp.co.jp 06 Jan '12, 7am

東芝が発売したBENAND [クリックすると拡大した画像が開きます]  東芝は、エラー訂正(ECC:error correction code)回路を内蔵する非多値(SLC:single level cell)のNANDフラッシュ・メモリ「BE...

第34回 ありのままの私で勝負する #techon

techon.nikkeibp.co.jp 04 Jan '12, 12am

しかし、Iさんは、そんな言葉では納得しないと感じました。まじめなIさんは、やりたいことがわからない、という類の学生ではなく、むしろ、私は「学びを活かしたい」「給料の高い会社に入りたい」と明確な野心を持っている肉食系女子でした。面接の言葉づくりや...

2012年は真のグローバル化が問われる年に [Tech-On!]

techon.nikkeibp.co.jp 31 Dec '11, 5pm

 東日本大震災、原子力発電所の事故と電力不足、タイの洪水、欧州の信用不安、1ドル=80円を切る超円高――。10年以上分もの危機が一度に訪れたような2011年が暮れました。新しい年を迎えるにあたり、今年こそは新規巻き直しの年にしたいと念願している...

第34回 ありのままの私で勝負する [Tech-On!]

techon.nikkeibp.co.jp 01 Jan '12, 5pm

しかし、Iさんは、そんな言葉では納得しないと感じました。まじめなIさんは、やりたいことがわからない、という類の学生ではなく、むしろ、私は「学びを活かしたい」「給料の高い会社に入りたい」と明確な野心を持っている肉食系女子でした。面接の言葉づくりや...