26 Apr '12, 11am

「Si系半導体で世界最高値」,東京都市大がQ値1560の発光を確認 #techon

開発した素子を上から見た様子(左)と、共振器部分の拡大写真。写真:東京都市大学 [クリックすると拡大した画像が開きます]  東京都市大学(旧・武蔵工業大学) 総合研究所は、Si系半導体を用いて作製した素子で、室温(300K)かつ電流注入においてQ値が1560という高い発光を確認したと発表した。「Si系半導体技術では世界最高値で、LEDとしてなら十分利用可能」(同大学)という。光伝送をSi系半導体で実現する「Siフォトニクス」技術において、開発が遅れていた発光素子を実現する一歩になる可能性がある。  開発したのは、同大学 工学部 教授で総合研究所 シリコンナノ科学研究センターの丸泉琢也氏の研究グループ。同グループは今回、ゲルマニウム(Ge)半導体の量子ドットの層とSi半導体の層からなる超格子にフォトニック結晶技術を用いた共振器を組み込むことで、高いQ値での発光を確認した。  開発した素子の主要部分の寸法はおよそ30μm角ほど。Ge量子ドット1個の寸法は、直径が78±3nm、高さが12nm程度で、Siの上に分子線エピタキシー(MBE)法で約1010 個/cm2 の面密度で作製する。次に、その上にさらにSi層を積層する、という手順でGe量子ドット層を3層重ねる。その際、直径が約260nmの縦穴を多数開けておく。これらの穴が、フォトニック結晶となり、光を閉じ込める共振器の役割を果たす。  素子はこれにさらにn型とp型のドーピングを施し、共振器部分をi層(真性半導体層)とするSi系PIN構造を形成して作製する。  Ge、Siは共に「間接遷移型半導体」と呼ばれ、半導体のバンド構造の中で、エネルギーが最大となる価電子帯と最小となる伝導帯の波数(運動エネルギー)が一致していない。この結果、電子と正孔の再結合が起こりにくく、発光させるのが容易ではない半導体となっている。  今回の素子で発光するのは、Ge量子ドットがp型、Si層がn型の半導体となり、そこで正孔と電子の再結合が起こるようになるため。「量子ドットのサイズ効果とは異なる」(丸泉氏)という。発光波長は...

Full article: http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20120426/215259/

Tweets

スペインの風力発電、出力が一時、全消費電力の60%に - グリーン・デバイス - Tech-On!

techon.nikkeibp.co.jp 17 Apr '12, 7am

REE社がほぼリアルタイムに公開している由来別の発電出力の2012年4月16日のデータ。緑色の「Eolica」が風力発電。紫色は原子力発電、赤色は石炭を用いる火力発電、水色は水力発電を指す。縦軸のマイナス方向の値は、輸出分または揚水発電システム...

【Light+Building】住友化学,60色の有機ELパネルを初披露 #techon

【Light+Building】住友化学,60色の有機ELパネルを初披露 #techon

techon.nikkeibp.co.jp 20 Apr '12, 9am

60色の有機ELパネルを2枚ずつ(計120枚)使った展示を披露した [クリックすると拡大した画像が開きます]  住友化学は、60色もの有機ELパネルを開発した。ドイツ・フランクフルトで開催中の世界最大規模の国際照明・建築技術の展示会「Light...